由于市场格局的变化以及对明年的良好预期，NAND闪存的供需将发生了相当大的变化。来自台湾NAND制造商的最新消息显示，经过大幅的增产，闪存供应商Hynix（海力士）今年下半年的NAND闪存芯片出货量相比今年上半年，至少要翻1倍。海力士目前出货的NAND闪存芯片均采用了41纳米和48纳米制造工艺，而在转向40纳米NAND闪存芯片时，海力士遭遇了一些障碍，这使得不少厂家投向了三星的怀抱。

三星由于推出了自有品牌存储产品，在NAND芯片的供应上还是有所倚重自家，这对于其它有大量NAND芯片需求的客户来说无疑是一种尴尬，于是Hynix的增产在此时就显得比较重要了。今年第三季度的数据显示，Hynix在全球NAND闪存芯片市场的份额为8.7%，低于第二季度的9.4%，而且也被竞争对手挤出了全球前三的位置。

下游厂商目前对2010年的经济复苏形式寄予了巨大期望，源源不断的NAND芯片订单已经让Hynix接到手软，海力士重返全球前三可谓指日可待。下游的U盘、数码及手机等产品厂家目前对于海力士的增产表示了欢迎，而随着明年SSD固态硬盘的进一步普及和苹果iPod/iPhone新品的到来，NAND闪存的需求依然相当巨大，其它NAND芯片供应商也在进行不同程度的增产。